原子层沉积系统，也称为原子层外延，或原子层化学气相沉积。

　　原子层沉积系统是在加热的衬底上连续引入至少两个蒸汽前驱体源，当表面饱和时，化学吸附自动终止。合适的工艺温度会阻碍分子在表面的物理吸附。基本的原子层沉积周期包括四个步骤:脉冲a、清洗a、脉冲b和清洗b，重复沉积周期，直到获得所需的膜厚，这是制造纳米结构以形成纳米器件的工具。

　　原子层沉积系统的优势包括:

　　1.通过控制反应循环次数，可以控制薄膜厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜;

　　2.由于前驱体被化学吸附饱和，保证生成大面积均匀薄膜;

　　3.原子层沉积系统可制备优良的三维共形化学计量膜，可用作纳米多孔材料的阶梯覆盖和涂层;

　　4.可以沉积多组分纳米薄层和混合氧化物;

　　5.薄膜生长可以在低温(室温至400℃以下)下进行;

　　6.原子层沉积系统可广泛应用于各种形状的基材;

　　7.原子层沉积系统生长的金属氧化物薄膜可用于介质、电致发光显示绝缘体、电容器电介质和微机电系统器件，生长的金属氮化物薄膜适用于扩散阻挡层。

　　原子层沉积系统主要特征。

　　1.样品类型:粉末样品、旗帜样品。

　　2.原子层沉积系统可与高真空等系统互联。

　　3.腔体发热400℃，控温精度1℃。

　　4.复杂的管道气体回路，可有八种前驱体、两种氧化还原气体回路和三种载气。

　　5.高温鼓泡器的独特设计可以提高低蒸气压固体源的反应效率和重复性。

　　6.原子层沉积系统自动控制系统，可通过自编程实现不同类型ALD样品的生长。

　　7.模糊算法自整定的PID自动温度控制。

　　8.全金属密封，适用于腐蚀性反应。

　　9.实时测量和控制气体流量和真空度。

　　10.在线原位分析气体成分。

　　11.原子层沉积系统带有臭氧发生器和反应残渣热分解装置。